技术编号：21260424
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月19日提交的法国专利申请号18/73335的优先权，其内容在法律允许的最大范围内通过引用整体并入本文。本公开总体涉及电子电路，并且更具体地涉及单光子雪崩光电二极管或spad(单光子雪崩二极管)光电二极管。背景技术spad光电二极管包括p-n结，该p-n结被反向偏置到超过该结的击穿电压或雪崩电压的电压。在该偏置电压处，p-n结周围的电场足以使光生载流子到达结的空间电荷区或耗尽区，从而触发雪崩现象，该雪崩现象转变成光电二极管中电流的增加。spad光电二极...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。