技术编号：21313870
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件封装领域，属于h01l23/00分类号下，具体涉及一种多芯片堆叠封装结构及其制造方法。背景技术对于半导体封装，多芯片封装可以实现小型化、多功能化以及低成本化，但是随着要求的不断提升，多芯片封装的薄型化和散热性能都需要进一步提升，如何在现有硅芯片的基础上实现更小型封装、更优的散热并防止封装体的翘曲或断裂，是本领域所一直追求目标。对于多芯片堆叠封装，其通过需要使用中间的再分布层实现上下层的互联，但是由于应力问题，会在再分布层上产生翘曲变形，使得再分布层不可靠，并且再分布层的应力从...
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