技术编号：21365602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种三氯硅烷的制造方法及三氯硅烷的制造装置。背景技术高纯度的三氯硅烷(tcs、sihcl3)用于制造作为半导体及太阳能电池的材料来使用的多晶硅。三氯硅烷例如经过以下的反应路径而获得。首先，使金属硅粉体(si)与氯化氢(hcl)进行反应。在此情况下，作为主反应，如式(1)所示生成三氯硅烷，但作为副反应，如式(2)所示产生四氯硅烷(stc、sicl4)。四氯硅烷回收后再利用，如式(3)所示转化为三氯硅烷。另外，还存在不使用氯化氢，而是通过式(3)的反应来制造三氯硅烷的情况。si+3hcl→...
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