技术编号：21501912
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及复合材料领域，具体涉及一种制备碳化硅致密复合材料的方法。背景技术在石墨件表面沉积碳化硅，通常采用甲基三氯硅烷为前驱体，发生化学气相沉积反应后得到碳化硅涂层，副产hcl气体。在某些特定的应用中，要求碳化硅涂层结合致密，可以阻止石墨件的部分杂质进入反应系统；另外，还要求碳化硅涂层结合紧密，耐磨性能好。例如，制备颗粒硅的流化床反应器通常具用石墨内衬，且在石墨内衬表面涂覆碳化硅涂层。在实际操作过程中会出现一个生产周期内，装置内需完成多个产品的碳化硅涂层沉积工作，且各产品的技术要求(例如碳化硅涂...
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