技术编号:21626487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构及其制造方法,且特别是涉及一种存储器结构及其制造方法。背景技术目前发展出一种包括晶体管与电容器的存储器结构。在此种存储器结构中,使用电容器作为储存元件。在目前提高元件集成度的趋势下,如何达成不增加存储单元尺寸且可有效地提升存储器元件的电性效能为目前业界持续努力的目标。发明内容本发明提供一种存储器结构,其中电容器设置于晶体管上方的导电层的线路部分与虚设部分之间。本发明提供一种存储器结构的制造方法,其用以制造上述的存储器结构。本发明的存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管、隔离...
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