技术编号:21710008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储设计及制造领域,特别是涉及一种磁性存储器结构、阵列、读写控制方法及制备方法。背景技术随着半导体工艺特征尺寸的持续减小,由晶体管漏电流所引起的静态功耗在集成电路总功耗中所占的比例日益增大,引起严重的功耗浪费。新兴的非易失性存储器能够在断电状态下保存数据,是解决集成电路静态功耗问题的有效方案之一。其中,磁性随机访问存储器(magnetoresistiverandomaccessmemory,mram)因其具有高速、低功耗和无限擦写等优势而有望成为下一代通用非易失性存储器。mram...
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