技术编号:21868114
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体器件,具体地说是一种屏蔽型igbt结构。背景技术绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor,简称igbt)作为绝缘栅控制的双极型器件,其体内的非平衡载流子浓度越高则其电导调制效应越显著,其电流密度越高。为了提高非平衡载流子浓度,通常的做法是在p型体区下方设置一层高浓度n型杂质掺杂的积累层,这种做法增强了漂移区的电导调制效应,减小了正向压降,但是这种方法会明显增加器件的开关损耗,同时非平衡载流子浓度提高后,在igbt短路过程中,非平衡载...
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