技术编号:22737902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。背景技术诸如氧化硅膜的氧化物膜和诸如氮化硅膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜,并且在半导体制造过程中,氧化硅膜或氮化硅膜可单独使用或以层叠体(laminate)的形式使用,在层叠体中一层或多层薄膜交替堆叠。此外,氧化物膜或氮化物膜也用于形成诸如金属布线的导电图案的硬掩模。在用于去除氮化物膜的湿式蚀刻工艺中,通常使用磷酸水溶液。单独的磷酸水溶液存在很多问题,诸如:氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当,工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多,导致药水寿...
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