技术编号:23105273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体纳米材料制备领域,具体涉及到一种光催化sno框架、制备方法及其应用。背景技术当前社会中存在的环境污染问题已成为社会主要问题之一,而纳米材料在污染治理中扮演着重要角色。然而光催化效果明显的大都是贵金属纳米材料,成本高昂,所以我们迫切需要一种价格低,制备简单,且在日光下对染料降解效果好的材料。事实证明,半导体光催化是一种有效的绿色技术,可用于环境保护和能源管理,也因此半导体光催化技术受到了广泛的关注。传统的半导体,例如tio2,sno2和zno,由于其低成本,高稳定性和环境友好的特性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。