技术编号:23224772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅晶体生长拉伸,尤其是连续直拉单晶棒工艺。背景技术众所周知的:根据晶体生长方式不同,当前制备单晶硅技术主要分为悬浮区熔法和直拉法两种,直拉法相对来说成本更低,生长速率较快,更适合大尺寸单晶硅棒的拉制,目前我国90%以上的太阳能级单晶硅通过直拉法进行生产。cz是从熔体中生长晶体的一种常用方法,属于保守系统,它要求晶体一致共熔,其主要优点在于它是一种直观的技术,可以在短时间内生长出大而无位错的单晶。优点:1.便于精密控制生长条件,可以较快速度获得优质大单晶;2.可以使用定向籽晶,选择不...
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