技术编号:23527612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及功率器件技术领域,具体为一种降低功率器件rg的结构。背景技术目前的沟槽型mosfet功率器件,栅极的电阻rg完全由栅极多晶调整,但局限于工艺能力,栅极电阻达到一定的程度就不能再降低。从而大大降低了其工作效率,同时其在安装使用时其位置不可实现微调,从而会导致其安装位置不准确,使得其安装不便捷,大大降低了其安装效率,因此我们提出了一种降低功率器件rg的结构。实用新型内容本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的栅极电阻不能再降低和安装不便捷等缺陷,提供一种降低功率器件rg的结构。所述一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。