一种降低功率器件Rg的结构的制作方法

本实用新型涉及功率器件技术领域，具体为一种降低功率器件rg的结构。

背景技术：

目前的沟槽型mosfet功率器件，栅极的电阻rg完全由栅极多晶调整，但局限于工艺能力，栅极电阻达到一定的程度就不能再降低。从而大大降低了其工作效率，同时其在安装使用时其位置不可实现微调，从而会导致其安装位置不准确，使得其安装不便捷，大大降低了其安装效率，因此我们提出了一种降低功率器件rg的结构。

技术实现要素：

本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的栅极电阻不能再降低和安装不便捷等缺陷，提供一种降低功率器件rg的结构。所述一种降低功率器件rg的结构具有可降低栅极电阻和安装便捷等特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种降低功率器件rg的结构，包括金属层，所述金属层为u形设置，所述金属层的后壁靠近中间处固定连接有竖板，所述竖板的左右两侧分别设置有直板，且直板固定安装在金属层的后壁上，两个所述直板和竖板之间分别设置有活动板，所述活动板的侧壁靠近顶部和底部处分别开设有滑孔，且滑孔内套设有滑动杆，所述滑动杆的两端分别穿过滑孔与竖板和直板的侧壁固定连接，所述活动板与竖板相远离的侧壁上固定连接有拉动杆，且直板的侧壁上开设有与拉动杆相匹配的通孔，所述拉动杆与活动板相远离的一端穿过通孔，并延伸到通孔外，所述拉动杆的顶部和底部上分别活动连接有斜杆，所述直板与活动板相远离的一侧靠近顶部处设置有第二安装板，所述斜杆与拉动杆相远离的一端与第二安装板的侧壁活动连接。

优选的，所述金属层的底部上安装有源极，所述源极的底部设置有漏极，所述漏极的左右两侧分别设置有栅极多晶，且两个所述栅极多晶的顶部上分别安装有硅化钨。

优选的，所述直板与活动板相远离的一侧靠近底部处设置有第一安装板，所述第一安装板与直板之间设置有t形杆，且t形杆的一端与直板的侧壁固定连接，所述t形杆上套设有活动环，所述活动环的侧壁和第一安装板的侧壁之间固定连接有连接杆，所述活动环的顶部和下方的斜杆底部之间活动连接有连杆。

优选的，所述拉动杆的顶部和底部上分别安装有第一矩形块，且第一矩形块的前壁上通过转轴和轴承活动连接有斜杆，所述斜杆与拉动杆相远离的后壁上通过转轴和轴承活动连接有第二矩形块，且第二矩形块固定安装在第二安装板上。

优选的，所述活动环的顶部上安装有第一连接块，且第一连接块的后壁通过转轴和轴承活动连接有连杆，所述连杆的后壁靠近顶部处通过转轴和轴承活动连接有第二连接块，且第二连接块固定连接在下方斜杆底部上。

优选的，所述活动环的顶部上安装有第一连接块，且第一连接块的后壁通过转轴和轴承活动连接有连杆，所述连杆的后壁靠近顶部处通过转轴和轴承活动连接有第二连接块，且第二连接块固定连接在下方斜杆底部上。

优选的，所述拉动杆位于两个滑动杆之间，且两个所述滑动杆以拉动杆的中心轴线为对称轴呈上下对称设置。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、在本技术方案中，在栅极多晶上增加一层硅化钨，有效降低栅极电阻，栅极电阻使得器件更快达到阈值电压，更快的开启，使用的硅化钨为半导体生产的常见材料；

2、在本技术方案中，通过滑动杆、活动板、拉动杆、斜杆、连杆、t形杆和活动环之间的相互配合，可实现对第一安装板和第二安装板的左右位置进行调节，从而可对其安装位置进行调节，可有效的提高其安装效率，达到安装便捷的目的。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1的后视图；

图3为图1的a处放大图；

图4为图1的b处放大图。

图中标号：1、金属层；2、源极；3、硅化钨；4、栅极多晶；5、漏极；6、滑动杆；7、竖板；8、活动板；9、直板；10、第一安装板；11、第二安装板；12、斜杆；13、拉动杆；14、连接杆；15、连杆；16、t形杆；17、活动环。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种降低功率器件rg的结构，包括金属层1，金属层1为u形设置，金属层1的后壁靠近中间处固定连接有竖板7，竖板7的左右两侧分别设置有直板9，且直板9固定安装在金属层1的后壁上，两个直板9和竖板7之间分别设置有活动板8，活动板8的侧壁靠近顶部和底部处分别开设有滑孔，且滑孔内套设有滑动杆6，滑动杆6的两端分别穿过滑孔与竖板7和直板9的侧壁固定连接，活动板8与竖板7相远离的侧壁上固定连接有拉动杆13，且直板9的侧壁上开设有与拉动杆13相匹配的通孔，拉动杆13与活动板8相远离的一端穿过通孔，并延伸到通孔外，拉动杆13的顶部和底部上分别活动连接有斜杆12，直板9与活动板8相远离的一侧靠近顶部处设置有第二安装板11，斜杆12与拉动杆13相远离的一端与第二安装板11的侧壁活动连接，拉动杆13位于两个滑动杆6之间，且两个滑动杆6以拉动杆13的中心轴线为对称轴呈上下对称设置，金属层1的底部上安装有源极2，源极2的底部设置有漏极5，漏极5的左右两侧分别设置有栅极多晶4，且两个栅极多晶4的顶部上分别安装有硅化钨3，在栅极多晶4上增加一层硅化钨3，有效降低栅极电阻，栅极电阻使得器件更快达到阈值电压，更快的开启，使用的硅化钨3为半导体生产的常见材料，直板9与活动板8相远离的一侧靠近底部处设置有第一安装板10，第一安装板10与直板9之间设置有t形杆16，且t形杆16的一端与直板9的侧壁固定连接，t形杆16上套设有活动环17，活动环17的侧壁和第一安装板10的侧壁之间固定连接有连接杆14，活动环17的顶部和下方的斜杆12底部之间活动连接有连杆15，拉动杆13的顶部和底部上分别安装有第一矩形块，且第一矩形块的前壁上通过转轴和轴承活动连接有斜杆12，斜杆12与拉动杆13相远离的后壁上通过转轴和轴承活动连接有第二矩形块，且第二矩形块固定安装在第二安装板11上，活动环17的顶部上安装有第一连接块，且第一连接块的后壁通过转轴和轴承活动连接有连杆15，连杆15的后壁靠近顶部处通过转轴和轴承活动连接有第二连接块，且第二连接块固定连接在下方斜杆12底部上，竖板7、直板9、第一安装板10和第二安装板11的后壁靠近顶部和底部处分别固定连接有焊接柱，通过滑动杆6、活动板8、拉动杆13、斜杆12、连杆15、t形杆16和活动环17之间的相互配合，可实现对第一安装板10和第二安装板11的左右位置进行调节，从而可对其安装位置进行调节，可有效的提高其安装效率，达到安装便捷的目的。

工作原理：本技术方案在使用时，在沟槽mosfet上使用硅化钨3，硅化钨3只形成于沟槽内的栅极多晶4之上，通过控制硅化钨3的厚度，调节得到不同的栅极电阻，当对其进行安装时，向右拉动第二安装板11，第二安装板11通过斜杆12和拉动杆13带动活动板8在滑动杆6上向两侧滑动，同时下方的斜杆12通过连杆15带动活动环17在t形杆16上向两侧滑动，活动环17通过连接杆14带动第一安装板10向两侧运动，可实现对第一安装板10和第二安装板11的左右位置进行调节，从而可对其安装位置进行调节，可有效的提高其安装效率，达到安装便捷的目的。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。