设置有漏流导出结构的有机发光显示装置的制作方法

本实用新型涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种设置有漏流导出结构的有机发光显示装置。

背景技术：

现有的微型有机发光显示装置，如硅基微型oled(organiclight-emittingdisplay，有机发光显示)装置，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件，可用于形成微型显示器。硅基oled微显示器具有广阔的市场应用空间，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼镜式显示器等。如与移动通讯网络、卫星定位等系统联在一起则可在任何地方、任何时间获得精确的图像信息，这在国防、航空、航天乃至单兵作战等军事应用上具有非常重要的军事价值。微型oled微显示器能够为便携式计算机、无线互联网浏览器、便携式dvd、游戏平台及可戴式计算机等移动信息产品提供高画质的视频显示。可以说，微型硅基oled微显示无论是对于民用消费领域还是工业应用乃至军事用途都提供了一个极佳的近眼应用(如头盔显示)解决途径，有望在军事以及消费类电子领域掀起近眼显示的新浪潮。

微型硅基oled显示装置，因其像素尺寸特别小，会造成相邻像素单元串扰的问题。如图1所示，为现有技术中一种微型硅基oled显示装置的示意图，包括基板10，该基板10包括多个像素单元，图中示出了两个像素单元u1和u2，每个像素单元包括设置于基板10上的阳极11，设置于阳极11上层并位于各像素单元u1、u2之间的像素定义层12，该像素定义层12由于刻蚀工艺而形成缓坡状的形态。形成在像素定义层12上的空穴注入层13、空穴传输层14、电子阻挡层15，该空穴注入层13、空穴传输层14、电子阻挡层15都是在各像素单元区域间为相连的连接结构。设置在各像素单元区域内的有机发光层19，设置在有机发光层19上的空穴阻挡层16，设置在空穴阻挡层16上的电子传输层17，设置在电子传输层17上的阴极18，阴极18在各像素单元区域间为相连的连接结构。在图1所述的微型硅基oled显示装置结构下，会发生像素单元u1和u2之间的显示串扰，即当像素单元u1有显示信号时，部分显示电流被传输到了像素单元u2处，使得像素单元u2不能显示预定的像素灰阶，这使得微型硅基oled显示装置的显示效果大受影响。因此，现在急需找出像素单元相互串扰的原因并且予以解决。

技术实现要素：

本实用新型提供一种有机发光显示装置，包括多个在基板上呈矩阵排列的像素单元，每个所述像素单元包括依次设置于所述基板之上的阳极、公共有机发光层、阴极层；在相邻所述像素单元之间设置有漏流导出结构，所述漏流导出结构包括导电层和信号连接层，所述导电层和所述信号连接层电性连接；并且，所述导电层和所述公共有机发光层电性接触设置，所述信号连接层连接至像素单元内的电位信号。

可选地，所述导电层和所述阳极同层设置。

可选地，所述像素单元包括所述像素单元包括多种像素单元，所述多种像素单元的阳极厚度各不相同；所述导电层的厚度和所述多种像素单元中厚度最大的阳极的厚度相同。

可选地，所述像素单元包括所述像素单元包括多种像素单元；所述多种像素单元的阳极位于不同膜层；所述导电层和所述阳极电极中最靠近所述公共有机发光层的阳极同层设置。

可选地，所述像素单元还包括晶体管，所述晶体管上方设置有钝化层，所述钝化层内设置有第一过孔，所述晶体管通过所述第一过孔和所述阳极电性连接；所述钝化层设置有凹槽，所述导电层设置在所述凹槽内。

可选地，还包括设置在所述像素单元之间的像素定义层，所述像素定义层内设置有第二过孔，所述导电层通过所述第二过孔和所述信号连接层电性连接。

可选地，所述像素单元还包括晶体管，所述晶体管上方设置有钝化层，所述钝化层内设置有第一过孔，所述晶体管通过所述第一过孔和所述阳极电性连接；所述钝化层内还设置有第三过孔，所述导电层设置在所述第三过孔内。

可选地，所述公共有机发光层下层设置有非晶硅半导体层。

可选地，所述非晶硅半导体层具有远离所述阳极一侧的顶面和靠近阳极的底面，所述底面在所述基板的投影落入所述顶面在所述基板的投影范围内。

可选地，所述非晶硅半导体层与所述公共有机发光层之间设置有像素定义层，所述像素定义层在所述阳极区域设置有第一开口露出所述阳极；所述像素定义层在所述导电层区域设置有第二开口露出所述导电层，并且在所述第二开口处，所述非晶硅半导体层与所述公共有机发光层电性接触。

可选地，所述非晶硅半导体层包括重掺杂区域，所述重掺杂区域做为所述导电层。

可选地，当所述像素单元显示高灰阶时，所述信号连接层接浮空电位；或者，当所述像素单元显示高灰阶时，所述信号连接层接一像素单元内的发光信号电位、复位信号电位或者电源信号电位；或者，所述信号连接层连接至相邻像素单元的阳极电位。

本实用新型提供的有机发光显示装置，在像素单元之间设置漏流导出结构，可以将像素单元之间的横向漏电流导走，从而抑制显示串扰的发生。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中一种微型硅基oled显示装置的示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的有机发光显示装置的示意图；

图3为本实用新型的实施例一中一种像素电路示意图；

图4为本实用新型实施例二提供的一种有机发光显示装置的示意图；

图5为本实用新型实施例二提供的另一种有机发光显示装置的示意图；

图6为本实用新型实施例三提供的一种有机发光显示装置的示意图；

图7为本实用新型实施例三提供的另一种有机发光显示装置的示意图；

图8为本实用新型实施例三提供的再一种有机发光显示装置的示意图；

图9为本实用新型实施例四提供的一种有机发光显示装置的示意图；

图10为本实用新型实施例四提供的另一种有机发光显示装置的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

实施例一

本实用新型实施例一提供一种有机发光显示装置，包括多个在基板上呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括依次设置于所述基板之上的阳极、公共有机发光层、阴极层；在相邻所述像素单元之间设置有漏流导出结构，所述漏流导出结构包括导电层和信号连接层，所述导电层和所述信号连接层电性连接；并且，所述导电层和所述公共有机发光层电性接触设置，所述信号连接层连接至像素单元内的电位信号。

图2为本实用新型实施例一提供的有机发光显示装置的示意图，如图所示，有机发光显示装置包括多个在基板101上呈矩阵排列的像素单元u，每个像素单元包括依次设置于基板101之上的阳极105、公共有机发光层103和阴极层104。公共有机发光层103包括多个有机膜层，其中至少有一个有机膜层在像素单元u和像素单元之间的间隔区域都是连续的结构。在相邻的像素单元u之间设置有漏流导出结构，图2所示的漏流导出结构包括导电层106和信号连接层107，该导电层106和信号连接层107电性连接，具体的，信号连接层107设置在导电层106的下层，信号连接层107和导电层106之间设置有绝缘层102，信号连接层107和导电层106通过设置在绝缘层102内的过孔108电性连接。导电层106和公共有机发光层103电性接触设置，更为具体地，导电层106和公共有机发光层103中在像素单元u和像素单元之间的间隔区域都是连续的结构的有机膜层电性接触设置，并且是直接接触的。信号连接层107连接至像素单元内的电位信号。

公共有机发光层103中至少有一层有机膜层在像素单元u和像素单元之间的间隔区域都是连续的结构，一个像素单元中的漏电流有可能会向相邻的像素单元流动，尤其是一个像素单元加高电压显示高灰阶时，会向相邻的显示低灰阶的像素单元传输漏电流，而相邻的显示低灰阶的像素单元会偷亮从而显示了不希望的灰阶，降低了显示效果。在本实用新型中，在像素单元之间设置漏流导出结构，连续结构的有机膜层中的漏电流流入漏流导出结构的导电层106，然后通过过孔108传输到信号连接层107，信号连接层107连接像素单元内的电位信号，从而漏电流从该路径被传输走，不会流到相邻的像素单元，不会造成相邻像素单元的偷亮问题。

现有技术中有将像素单元间的导电层连接成布线状，然后将布线和像素单元阵列外部的信号连接，这种连接方式占用的面积较大，并且所有导电层都连接同一信号，不能单独调节每个导电层的信号。本实用新型的漏流导出结构的信号连接层连接至像素单元内的电位信号，可以降低漏流导出结构的信号连接难度，不会占用较大的面积，并且每个漏流导出结构的信号可以单独调节，根据连接的像素单元内部的信号电压的不同，漏流导出结构可以加载不同的电压，抑制漏流的效果更好。

可选地，当所述像素单元显示高灰阶时，信号连接层接浮空电位；或者，当所述像素单元显示高灰阶时，信号连接层接一像素单元内发光信号电位、复位信号电位或者电源信号电位；或者，信号连接层连接至相邻像素单元的阳极电位。

如图2所示，当像素单元u显示高灰阶时，可以给与其相邻的漏流导出结构中的信号连接层107接浮空电位，导电层106也为浮空电位，横向漏流通过该电路路径将漏流导走。

可选地，当像素单元u显示高灰阶时，可以给与其相邻的漏流导出结构中的信号连接层107接一像素单元内的电位，该像素单元内的电位可以是发光信号电位、复位信号电位、电源信号电位或者阳极电位。请参考图3，为有机发光显示装置像素单元的像素电路示意图，像素电路包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3和第四晶体管t4。第一晶体管t1的栅极连接存储电容cst和第三晶体管的漏极，第一晶体管t1的源极连接第一电源信号vdd，漏极连接第二晶体管的源极和第四晶体管的源极。第二晶体管t2的栅极连接发光信号em，源极连接第一晶体管t1的漏极和第四晶体管的源极，漏极连接有机发光二极管oled的阳极。第三晶体管t3的源极连接数据信号vdata，漏极连接存储电容cst和第一晶体管t1的栅极。第四晶体管的源极连接第一晶体管t1的漏极，漏极连接复位信号vfb。有机发光二极管oled的阳极连接第二晶体管t2的漏极，阴极连接第二电源信号vss。导电层106可以连接至像素单元内部的发光信号em的电位，或者连接像素单元内部的复位信号vfb，或者连接像素单元内部的第一电源信号vdd或者第二电源信号vss，或者将导电层106和像素单元内的阳极信号相连。通过导电层106、过孔108、信号连接层107、像素单元内部电压信号该电路路径，像素单元间的横向漏流导走。可以理解的是，本实用新型的像素电路并不局限于此，其他结构的像素电路也同样适用。

实施例二

本实用新型实施例二提供一种有机发光显示装置，包括多个在基板上呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括依次设置于基板之上的阳极、公共有机发光层、阴极层；在相邻像素单元之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层和信号连接层，导电层和信号连接层电性连接；并且，导电层和所述公共有机发光层电性接触设置，信号连接层连接至像素单元内的电位信号，并且导电层和像素单元的阳极同层设置。请参考图4和图5，图4为本实用新型实施例二提供的一种有机发光显示装置的示意图。图5为本实用新型实施例二提供的另一种有机发光显示装置的示意图。

如图4所示，有机发光显示装置为微腔型有机发光显示装置，像素单元的阳极205和阴极层204之间形成微振腔，像素单元包括多种像素单元，多种像素单元的阳极205的厚度各不相同，从而形成不同的微腔腔长，对不同波长的光进行干涉加强或者干涉减弱。如图4所示，像素单元包括所述像素单元包括多种像素单元，如第一像素单元u1和第二像素单元u2，多种像素单元的阳极厚度各不相同，如第一种像素单元u1的阳极2051的厚度较小，第二像素单元u2的阳极2052的厚度最大，因此第二像素单元u2的阳极2052的顶面到达阴极204的距离较小，而第一像素单元u1的阳极2051的顶面到阴极204的距离较大，两个像素单元形成了不同长度的微腔长度。

有机发光显示装置还包括设置在相邻像素单元之间的漏流导出结构，漏流导出结构包括导电层206，导电层206和公共有机发光层203电性接触。导电层206的厚度和多种像素单元中厚度最大的阳极的厚度相同。在图4所示结构中，导电层206的厚度和第二像素单元u2的阳极2052的厚度相同，也可以说，导电层206和第二像素单元u2的阳极2052为同层膜层形成的。第一像素单元u1的阳极2051通过设置在钝化层202中的第一过孔2053和位于下层的晶体管2054电性连接，第二像素单元u2的阳极2052通过设置在钝化层202中的第一过孔2055和位于下层的晶体管2056电性连接，导电层206通过过孔208和位于下层的信号连接层207电性连接。通过使用和多种像素单元中厚度最大的阳极的厚度相同的材料来形成导电层206，导电层206的侧壁厚度较大，可以使得公共有机发光层203不易在导电层206的侧壁处形成连续的结构，使得公共有机发光层203断开，可以抑制横向漏流；若公共有机发光层203没有在导电层206的侧壁处断开，则横向漏流可以通过导电层206导走，不会流到相邻的像素单元。另外，导电层可以和阳极同一工艺步骤形成、导电层和信号连接层之间的过孔可以和第一过孔同一工艺步骤形成，不会增加制程工艺步骤。

如图5所示，有机发光显示装置为微腔型有机发光显示装置，像素单元的阳极305和阴极层304之间形成微振腔，像素单元包括多种像素单元，多种像素单元的阳极305的位于不同膜层，从而形成不同的微腔腔长，对不同波长的光进行干涉加强或者干涉减弱。如图5所示，像素单元包括多种像素单元，如第一像素单元u1和第二像素单元u2，第一像素单元u1的阳极3051位于第一绝缘层302上，阳极3051上设置有第二绝缘层309，在第二绝缘层309上设置有第二像素单元u2的阳极3052，第二像素单元u2的阳极3052相比于第一像素单元u1的阳极3051更为靠近公共有机发光层303。第一像素单元u1的阳极3051至阴极304的距离较大，第二像素单元u2的阳极3052至阴极304的距离较小，形成了不同的微腔腔长。有机发光显示装置还包括设置在相邻像素单元之间的漏流导出结构，漏流导出结构包括导电层306，导电层306和公共有机发光层303电性接触。导电层306和阳极中最靠近公共有机发光层的阳极同层设置，在图5结构中，导电层306和第二像素单元u2的阳极3052同层设置。第一像素单元u1的阳极3051通过设置在第一绝缘层302中的第一过孔3053和位于下层的晶体管3054电性连接，第二像素单元u2的阳极3052通过设置在第一绝缘层302和第二绝缘层309中的第一过孔3055和位于下层的晶体管3056电性连接，导电层306通过设置在第一绝缘层302和第二绝缘层309中的过孔308和位于下层的信号连接层308电性连接，导电层和阳极中最靠近所述公共有机发光层的阳极同层设置同一工艺步骤形成、过孔可以和第二像素单元u2的第一过孔同一工艺步骤形成，不会增加制程工艺步骤。

实施例三

本实用新型实施例三提供的有机发光显示装置，包括多个在基板上呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括依次设置于基板之上的阳极、公共有机发光层、阴极层；在相邻像素单元之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层和信号连接层，导电层和信号连接层电性连接；并且，导电层和所述公共有机发光层电性接触设置，信号连接层连接至像素单元内的电位信号。图6为本实用新型实施例三提供的一种有机发光显示装置的示意图；图7为本实用新型实施例三提供的另一种有机发光显示装置的示意图；图8为本实用新型实施例三提供的再一种有机发光显示装置的示意图。

如图6所示，一种有机发光显示装置，包括基板401，设置在基板401上的多个像素单元u，每个像素单元u包括依次设置于基板401之上的阳极405、公共有机发光层403、阴极层404；在相邻像素单元之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层406和信号连接层407，导电层406和信号连接层407通过设置在绝缘层402内的过孔电性连接；并且，导电层406和公共有机发光层403电性接触设置，信号连接层连接至像素单元内的电位信号。在阳极405和公共有机发光层403之间设置有像素定义层409，在像素定义层409中设置有第二过孔，导电层406设置在像素定义层409的第二过孔内。在通常的有机发光显示装置中，相邻的像素单元之间设置有像素定义层用于间隔像素单元，本实施例中将漏流导出结构和像素定义层重叠设置，在像素定义层409内设置第二过孔，将导电层406设置在像素定义层409的第二过孔内，从而使得导电层406上层和公共有机发光层403电性接触，又和下层信号连接层407的电性接触。

如图7所示，另一种有机发光显示装置，包括基板501，设置在基板501上的多个像素单元u，每个像素单元u包括依次设置于基板501之上的阳极505、公共有机发光层503、阴极层504；在相邻像素单元之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层506和信号连接层507，导电层506和信号连接层507通过设置在钝化层509内的过孔508电性连接；并且，导电层506和公共有机发光层503电性接触设置，信号连接层507连接至像素单元内的电位信号。在钝化层509内设置有凹槽，该导电层506设置在该钝化层509的凹槽内。

如图8所示，再一种有机发光显示装置，包括基板601，设置在基板601上的多个像素单元u，每个像素单元u包括依次设置于基板601之上的阳极605、公共有机发光层603、阴极层604；在相邻像素单元之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层606和信号连接层607。在钝化层609中设置有一第三过孔，该导电层606设置在该第三过孔内，并且和位于下层的信号连接层607电性连接，还和位于第三过孔上方的公共有机发光层603电性接触。将导电层606设置在钝化层609的第三过孔内，可以减小导电层占用的面积。

实施例四

本实用新型实施例三提供的有机发光显示装置，包括多个在基板上呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括依次设置于基板之上的阳极、公共有机发光层、阴极层；在相邻像素单元之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层和信号连接层，导电层和信号连接层电性连接；导电层和所述公共有机发光层电性接触设置，信号连接层连接至像素单元内的电位信号；并且，在公共有机发光层下层设置有非晶硅半导体层。图9为本实用新型实施例四提供的一种有机发光显示装置的示意图；图10为本实用新型实施例四提供的另一种有机发光显示装置的示意图。

如图9所示，有机发光显示装置，包括多个在基板701上呈矩阵排列的像素单元u，每个像素单元包括依次设置于基板701之上的阳极705、公共有机发光层703、阴极层704；在相邻像素单元u之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层706和信号连接层707，导电层706和信号连接层707通过设置在钝化层709内的过孔708电性连接；导电层706和公共有机发光层703电性接触设置，信号连接层708连接至像素单元u内的电位信号。在公共有机发光层703下层设置有非晶硅半导体层710，非晶硅半导体层710设置在导电层706和公共有机发光层703之间，非晶硅半导体层710具有第一斜面t1，该第一斜面t1和阳极705所在平面之间的夹角小于等于90度。

信号连接层707的电信号通过过孔708向导电层706传输电信号，导电层706和非晶硅半导体层710接触设置，相当于导电层706向非晶硅半导体层710通电，非晶硅半导体层710作为半导体导通，导电层706和公共有机发光层703通过非晶硅半导体层710电性接触，像素单元间的横向漏流通过非晶硅半导体层710、导电层706、过孔708和信号连接层707导走。

另外，非晶硅半导体层710的具有远离阳极705的顶面t1，还具有靠近阳极705的底面t2，底面t2在基板701上的投影落入顶面t1在基板701的投影范围内。也就是说，顶面t1和底面t2之间并且面向阳极705一侧的侧壁，其和阳极705所在平面之间的夹角小于等于90度，顶面t1和底面t2之间并且面向阳极705一侧的侧壁和阳极705所在平面之间形成一个倒角，公共有机发光层703在该倒角处容易断开形成非连续的结构，从而防止像素单元间的横向漏流的产生。如果，有公共有机发光层703中有部分膜层在倒角处未断开，那产生的横向漏流可以通过导电层706、过孔708、信号连接层707导走，不会造成串扰显示。

优选地，在非晶硅半导体层710与公共有机发光层703之间设置有像素定义层711，像素定义层711在阳极705区域设置有第一开口，该第一开口露出阳极705，使阳极705和位于上层的公共有机发光层703接触；像素定义层711在导电层706区域还设置有第二开口，该第二开口露出导电层706，使得在第二开口处非晶硅半导体层710与公共有机发光层703电性接触。像素定义层711在阳极705的边缘，进一步加大了段差的高度，公共有机发光层703在阳极705的边缘更容易断开，从而阻断横向漏流路径，如果有公共有机发光层703中有部分膜层在阳极705边缘处未断开，那产生的横向漏流可以通过导电层706、过孔708、信号连接层707导走，不会造成串扰显示。

图10为本实用新型实施例四提供的另一种有机发光显示装置的示意图。如图10所示，有机发光显示装置，包括多个在基板801上呈矩阵排列的像素单元u，每个像素单元包括依次设置于基板801之上的阳极805、公共有机发光层803、阴极层804；在相邻像素单元u之间设置有漏流导出结构，该漏流导出结构包括导电层806和信号连接层807，导电层806和信号连接层807通过设置在钝化层809内的过孔808电性连接；导电层806和公共有机发光层803电性接触设置，信号连接层807连接至像素单元u内的电位信号。在公共有机发光层803下层设置有非晶硅半导体层810，非晶硅半导体层810包括一重掺杂区域806，该重掺杂区域806就作为该导电层806。非晶硅半导体层810进行区域性重掺杂后，重掺杂的区域拥有导体的性质，可以将重掺杂的区域的非晶硅半导体层810作为导电层806，从而不用单独设置导电层806，节省了制程工艺。

另外，非晶硅半导体层810的具有远离阳极805的顶面t1，还具有靠近阳极805的底面t2，底面t2在基板801上的投影落入顶面t1在基板801的投影范围内。也就是说，顶面t1和底面t2之间并且面向阳极805一侧的侧壁，其和阳极805所在平面之间的夹角小于等于90度，顶面t1和底面t2之间并且面向阳极805一侧的侧壁和阳极805所在平面之间形成一个倒角，公共有机发光层803在该倒角处容易断开形成非连续的结构，从而防止像素单元间的横向漏流的产生。如果，有公共有机发光层803中有部分膜层在倒角处未断开，那产生的横向漏流可以通过导电层806、过孔808、信号连接层807导走，不会造成串扰显示。

优选地，在非晶硅半导体层810与公共有机发光层803之间设置有像素定义层811，像素定义层811在阳极805区域设置有第一开口，该第一开口露出阳极805，使阳极805和位于上层的公共有机发光层803接触；像素定义层811在导电层806区域还设置有第二开口，该第二开口露出导电层806，使得在第二开口处非晶硅半导体层810与公共有机发光层803电性接触。像素定义层811在阳极805的边缘，进一步加大了段差的高度，公共有机发光层803在阳极805的边缘处更容易断开，从而阻断横向漏流路径，如果有公共有机发光层803中有部分膜层在阳极805边缘处未断开，那产生的横向漏流可以通过导电层806、过孔808、信号连接层807导走，不会造成串扰显示。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。