技术编号:23621552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种半导体结构的制作方法和半导体结构。背景技术现有技术中,闪存(flashmemory)存储器的主要功能是在不加电的情况下能长期保持存储的信息,具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点,因而在电子产品中得到了广泛的应用。为了提高闪存存储器的位密度(bitdensity),降低位成本(bitcost),提出了3dnand存储器构架。进一步降低位成本的方式是在slc(singlelevelcell,单层式储存)基础上开发出mlc(multilevelcell...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。