技术编号:23621827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容涉及半导体领域,尤其涉及一种选通管及其制备方法。背景技术随着存储器技术的发展,对存储器的密度及可微缩性提出了更高的要求,交叉点型的存储器具有高的存储密度以及出色的可微缩性,是存储器领域的一个有力的竞争者,然而交叉点型存储器高的漏电流问题亟待解决,选通管被认为是解决漏电流问题的有力的候选者。选通管具有开态电流高、开关速度快等优点,但是漏电流高是其应用于存储器阵列的一大阻碍。发明内容本公开内容的目的至少部分在于,提供一种性能有提升和改进的选通管及其制备方法。第一方面,本公开内容的实施例提供...
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