技术编号:23621830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子新型非易失性存储器技术领域,具体涉及一种基于纳铁酸镍薄膜电阻式随机存储特性的非易失性存储器件及其制备方法。背景技术半导体存储器是采用半导体电路作为存储媒体的半导体器件,它在电脑电子、汽车电子通讯电子和消费电子等领域具有重要的地位。为了突破传统flash存储器的固有缺陷和尺寸极限,近年来工业界和学术界基于不同材料、不同机制以及不同的操作方式研制出多种有望取代flash存储器的高密度、高速度和低功耗的新兴非易失性存储器,如铁电存储器、磁阻存储器、相变存储器和阻变存储器等。阻变存储器是...
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