技术编号:23646727
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及控制器领域,具体涉及一种基于功率管散热结构的控制器。背景技术功率管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体,金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同,可分为电子占多数的n沟道型与空穴占多数的p沟道型,通常被称为n型金氧半场效晶体管与p型金氧半场效晶体管。控制器中的功率管具有体积小,发热量高的特点,为了确保功率管的散热效果,从而使其正常运行,多数控制器都安装散热装置,散热装...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。