技术编号：23705285
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体领域，具体的，涉及一种三维存储器件及其制造方法。背景技术d nand以其小体积、大容量为出发点，将存储单元采用三维模式层层堆叠的高度集成作为设计理念，生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流设计。在目前的d nand结构中，是通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度，其中栅极分为下层选择栅极、中层控制栅极以及顶层选择栅极(top select gate,tsg)三部分。通常在指存...
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