技术编号：23724069
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体及mems工艺技术领域，具体是一种基于三层胶的金属剥离方法。背景技术在半导体及mems工艺技术中，金属作为导电层被广泛应用于器件的引线、pad以及加热电阻等结构制备中。近年来随着新型mems领域的不断成熟，在mems工艺中，金属引线、金属实现接触孔互联、多层金属布线等需要对金属实现图形化，目前通常做法是在衬底上生长金属介质，然后在金属表面进行光刻制作图形，最后进行金属的湿法腐蚀或者干法刻蚀形成图形化，但有些金属如au、pt等目前找不到适当的腐蚀液进行腐蚀，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。