技术编号：23724071
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。℃，氧化层厚度±nm。进一步的，步骤s采用lpcvd工艺制备氮化硅薄膜，工艺温度控制在 ℃，氮化硅薄膜厚度±nm。进一步的，步骤s光刻工艺按以下步骤执行：s、匀胶：选用正性光刻胶，先在硅片表面用hmds进行增粘处理，然后旋转涂胶，胶厚.±.μm；s、前烘：将涂覆好光刻胶的基片放在热板上，温度设置为±℃，时间为s；s、曝光：用光刻掩模版在光刻机上进行图形套准曝光，套准精度为±.μm；s、曝光后烘：温度设置...
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