技术编号：23850543
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及双层硅基光子器件制造技术领域，具体涉及一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件。背景技术目前双层硅基光子器件的耦合方式通常是采用倒追耦合器或者光栅方式进行层间耦合，这种方式对层间介质厚度及均匀性要求很高，层间厚度越薄耦合效率越高但是层间串扰也越高，即耦合效率如串扰相互制约。发明内容本发明的主要目的在于提供一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，采用各向同性腐蚀方法将非第一层波导结构的层间介质区域形成斜坡，使第二层波导材料与第一层波导...
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