技术编号:24066031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。背景技术薄膜晶体管(tft,thin film transistor)作为平板显示的核心组成部分,任何有源矩阵的平板显示都依赖于薄膜晶体管的控制和驱动。目前应用于显示器的开关元件主要仍为非晶硅(a-si)薄膜晶体管和多晶硅(p-si)薄膜晶体管,其中非晶硅薄膜晶体管应用最为广泛,但非晶硅薄膜晶体管具有电子迁移率低(只有.~cm/v·s)的问题;而多晶硅薄膜晶体管尽管迁移率比非晶硅薄膜晶体管高,...
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