技术编号：2416778
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及到一种半导体中的导线架。背景技术目前所使用的半导体中导线架的剖面图如图3所示，其包括基材层I和设置在基材层I上方是银层2。目前所使用的半导体中导线架的银层2厚度为0. 003 0. 008mm间才能达到行业标准一晶片推力达到210g和金线拉力达到6g。从而导致银的使用量很大，成本较高实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能减少银的使用量并且同样能达到行业标准的半导体中的导线架。为解决上述问题，本实用新型采用的技术方案是半导体中的导...
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