专利名称：半导体中的导线架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及到一种半导体中的导线架。
背景技术：
目前所使用的半导体中导线架的剖面图如图3所示，其包括基材层I和设置在基材层I上方是银层2。目前所使用的半导体中导线架的银层2厚度为0. 003 0. 008mm间才能达到行业标准一晶片推力达到210g和金线拉力达到6g。从而导致银的使用量很大，成本较高
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能减少银的使用量并且同样能达到行业标准的半导体中的导线架。为解决上述问题，本实用新型采用的技术方案是半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方的银层，基材层的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，所述的基材层和银层外部包覆有高分子纳米保护膜。本实用新型的有益效果是上述的半导体中的导线架，其银层厚度只需0. 0015 0. 003mm,从而能节约大约40%的银的使用量。经检测，上述的半导体中导线架，其晶片推力达到260g、金线拉力达到9. 6g，远远超出了行业标准，其性能更加优越。另外，上述的半导体中的导线架的银表面抗硫化能力和抗盐雾能力均得到明显增强和提升，具体表现为目前所使用的半导体中导线架的银层表面在测试环境中，三小时就会出现硫化现象；而本实用新型所述的半导体中的导线架，在同样的测试环境中，7天后银层表面才开始硫化变色，包装后保质期达24个月。目前所使用的半导体中导线架正常抗盐雾能力为72小时左右；而本实用新型所述的半导体中的导线架的抗盐雾能力达到106小时左右。
图I是本实用新型的剖面图；图2是图I中A-A方向的剖视结构示意图；图3是背景技术中所述的目前所使用的半导体中的导线架的剖面图；图中I、基材层，2、银层，3、高分子纳米保护膜。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本实用新型半导体中的导线架作进一步的详细描述。如图I、图2所示，半导体中的导线架，包括基材层I和设置在基材层I上方的银层2，基材层I的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，所述的基材层I和银层2外部包覆有高分子纳米保护膜3。本实用新型的有益效果是上述的半导体中的导线架，其银层厚度只需0. 0015 0. 003mm,从而能节约大约40%的银的使用量。经检测，上述的半导体中导线架，其晶片推力达到260g、金线拉力达到9. 6g，远远超出了行业标准，其性能更加优越。另外，上述的半导体中的导线架的银表面抗硫化能力和抗盐雾能力均得到明显增强和提升，具体表现为目前所使用的半导体中导线架的银层表面在测试环境中，三小时就会出现硫化现象；而本实用新型所述的半导体中的导线架，在同样的测试环境中，7天后银层表面才开始硫化变色，包装后保质期达24个月。目前所使用的半导体中导线架正常抗盐雾能力为72小时左右；而本实用新型所述的半导体中的导线架的抗盐雾能力达到106小时左右。上述的实施例仅例示性说明本发明创造的原理及其功效，以及部分运用的实施例，而非用于限制本实用新型；应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实
用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方是银层，基材层的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，其特征在干所述的基材层和银层外部包覆有高分子纳米保护膜。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方的银层，基材层的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，所述的基材层和银层外部包覆有高分子纳米保护膜。本实用新型适用于半导体。
文档编号B32B27/02GK202549826SQ20122023330
公开日2012年11月21日 申请日期2012年5月23日 优先权日2012年5月23日
发明者倪兵 申请人:顺德工业(江苏)有限公司