技术编号:24341486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请享受以日本专利申请第2019-168401号(申请日:2019年9月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本发明涉及半导体装置。背景技术在dmos(double-diffusedmosfet:双扩散mosfet)中,为了确保耐压,提出了在漏极与沟道之间设置sti(shallowtrenchisolation:元件分离绝缘体)的技术。另一方面,由于存在sti,导通电阻增加。发明内容本发明提供耐压与导通电阻的平衡良好的半导体装置。实施方式的半导体装置具备...
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