技术编号:24341494
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例一般涉及半导体制造,更特别涉及采用离子注入的装置与其制造方法。背景技术在半导体产业的最近发展中,采用鳍状场效晶体管取代平面晶体管。在鳍状场效晶体管中,晶体管通道实质上形成于大高宽比的结构(通常称作鳍状物)中。鳍状场效晶体管的栅极不只覆盖鳍状物的顶部,还覆盖鳍状物的侧部。此设置比平面晶体管具有多种优点,包括在相同效能下的可信度更高且更能控制通道反转。发明内容在一实施例中,半导体装置包括晶体管以及与晶体管相邻的隔离区。晶体管具有通道区,通道区包含成分元素与多余原子,且成分元素属于元素周期...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。