技术编号:24658474
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种利用氯基cvd晶体薄膜生长制程尾气ftrpsa制备甲基氯硅烷类有机硅方法.技术领域.本发明涉及氯基硅/碳化硅单晶或外延薄膜生长过程中所产生的尾气综合再利用,更具体的说是涉及一种利用氯基cvd(化学气相沉积)晶体薄膜生长制程尾气ftrpsa(全温程变压吸附)制备甲基氯硅烷类有机硅方法。背景技术.甲基氯硅烷是有机硅生产最重要的单体原料,约占~%以上。由于有机硅具有耐温特性、耐候性、电气绝缘性能、生物特性、低表面张力和低表面能等优异的性能,因此不仅作为航空、尖端技术、军事技术部门的特...
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