技术编号:25025832
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于金属间化合物单晶制备的技术领域。具体地,本发明涉及制备范德华二维层状单晶的方法。更具体地,本发明涉及基于化学气相传输(cvt)原理,利用振荡温度场制备过渡金属硫属化合物和过渡金属卤素化合物单晶的方法。背景技术过渡金属硫属化合物或过渡金属卤素化合物的层状化合物具有类似于石墨的层状结构,晶体内原子层与层之间依靠范德华力结合。这类材料的单层或少层薄膜由于具有优异的磁性、磁电输运和光学性质近年来重新引起材料学与物理学界的广泛关注。值得指出的是最高质量的单层或少层薄膜均是由单晶机械剥离单晶获得,...
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