技术编号：25025848
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用。背景技术碳化硅(sic)单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于sic和氮化镓(gan)的晶格失配小，sic单晶是gan基led、肖特基二极管、mosfet、igbt、hemt等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对sic单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸(150毫米)产品，预计市场...
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