技术编号:25028537
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构的制备方法。背景技术在半导体制造过程中,半导体器件表面的钝化和金属化是半导体制造工艺中必不可少的部分。半导体器件的金属化是应用化学或物理处理方法在所述半导体器件上淀积导电金属薄膜的过程。为了降低所述半导体器件表面的顶部金属(topmetal)线的电阻,通常情况下会增加所述顶部金属线的厚度。在现有的半导体器件中,所述顶部金属线的厚度通常约为对半导体器件的表面进行钝化可以增强所述半导体器件对离子的阻挡能力,防止所述半导体器件受到机械损伤和化学损伤。参阅...
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