技术编号:25028540
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备工艺领域,尤其涉及一种氧化铝的湿法腐蚀去除方法。背景技术半导体器件的制备通常需要经过多道复杂的半导体工艺过程才能得以完成,常规的半导体工艺包括沉积、刻蚀、清洗、封装等诸多程序。随着半导体器件性能、集成度等方面要求的不断提高,半导体器件结构逐渐朝着复杂化、小型化的方向发展,这给半导体器件制备工艺带来了挑战。氧化铝材料是半导体器件制备工艺中常用的介质材料,在一些半导体器件加工工艺环节中,氧化铝材料需要被部分或全部去除。在目前的现有技术中,去除氧化铝材料往往需要耗费大量的工时,严重...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。