技术编号：25530171
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种半导体器件，且具体而言涉及一种使用至少一条碳系导体线的电阻式存储器件及形成所述电阻式存储器件的方法。背景技术电阻式存储器件使用可提供至少两种电阻状态的存储元件，每种电阻状态提供不同水平的电阻。阵列环境中电阻式存储器件的电阻电容(resistancecapacitance，rc)延迟随着电阻式存储器件的按比例缩放而增加，这是由于金属线尺寸的减小导致金属线电阻的增加。现有技术的金属线使用金属氮化物衬层与电阻率低于金属氮化物衬层的金属填充材料的组合。然而，由于金属氮化物衬层需要完全用作金...
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