技术编号：25530429
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本专利申请要求于2019年12月13日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请no.10-2019-0167053的优先权，其全部内容通过引用合并于此。本公开涉及一种图像传感器，具体地，涉及一种互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器。背景技术图像传感器是被配置为将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可以分类为两种类型：电荷耦合器件(ccd)类型和互补金属氧化物半导体(cmos)类型。通常，cmos型图像传感器称为“cis”。cis包括多个二维布置的像素，每个像素包括将入射...
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