技术编号：25541818
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在氧化硅、多晶硅及/或金属硅化物的存在下选择性蚀刻氮化硅的组合物及方法，且更确切地说，涉及一种用于在高蚀刻速率下且以高选择率尤其在多层半导体晶片结构中针对氧化硅、多晶硅及/或金属硅化物的经暴露层或底层有效且高效地蚀刻氮化硅层的组合物及方法。背景技术持续需要经改善的微电子装置性能，持续强调减小装置尺寸，其提供显著增加装置密度以及改善装置性能的双重优点。因为减小的装置尺寸使得电荷载流子(例如电子)需要行进的路径更短，所以装置性能得以改善。举例来说，金属氧化物半导体场效晶体管(mos...
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