技术编号:25542957
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及接合体结构体、半导体装置及其制造方法。背景技术近年来,对于半导体装置的可靠性的要求日益提高。特别是,由于半导体元件与电路基板的热膨胀系数之差大,因此需要存在于它们之间的接合部的可靠性的提高。以往,作为半导体元件,多使用以硅(si)、镓砷(gaas)等作为基材的半导体元件,其工作温度为100℃~125℃。对于将这些半导体元件与电路基板接合时所使用的接合材料,要求用于对应多阶段的接合的高熔点、针对与起动·停止相伴的反复热应力的耐裂纹性、和半导体装置的耐污染性。对于这些要求,在使用以si作为...
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