技术编号:25987519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光后清洗液的制备方法。背景技术金属材料如铜,铝,钨等是集成电路中常用的导线材料。在制造器件时,化学机械抛光(cmp)成为晶片平坦化的主要技术。金属化学机械抛光液通常含有研磨颗粒、络合剂、金属腐蚀抑制剂、氧化剂等。其中研磨颗粒主要为二氧化硅、三氧化二铝、掺杂铝或覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛、高分子研磨颗粒等。在金属cmp工序以后,晶片表面会受到金属离子以及抛光液中研磨颗粒本身的污染,这种污染会对半导体的电气特性以及器件的可靠性产生影响。这些金属离子和研磨颗粒的残留都...
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