技术编号:26054429
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术领域,特别涉及一种sic基欧姆接触结构及其制造方法。背景技术sic(碳化硅)材料因其具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率、高功率密度、高击穿电场强度、高热导率和抗辐射能力强等等特点,被广泛应用于高温、高频、大功率、抗辐射等应用场合。其中,欧姆接触是sic器件的制备过程中的一项关键工艺,金属和半导体之间形成良好的sic基欧姆接触,可以显著提升sic器件的性能。现有的制造欧姆接触的技术通常是,在暴露出的sic材料区域(例如源漏区)上沉积ni或ni+ti金属薄膜,并采用...
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