技术编号：26092166
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器技术，更具体地，涉及一种测量方法和3d存储器件。背景技术随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3d存储器件)。3d存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。在3d存储器件中，一般采用栅叠层结构以及沟道柱提供选择晶体管和存储晶体管，采用导电通道形成外围电路与存储单元的互联，采用假沟道柱提供机械支撑，假沟道柱一般位于存储晶体管外围的台阶区域...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。