技术编号:26144622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法。背景技术随着半导体器件的集成度增加,在半导体器件的制备过程中开始关注于形成较小尺寸的电容结构。电容结构的减小可以通过减小电容结构中上电极和下电极之间电容介电层厚度实现,然而电容介电层厚度的减小会极大的增加漏电流,容易引起电容介电层的击穿,使上电极和下电极之间发生短路。发明内容本发明要解决的技术问题是:如何有效减少电容结构中的上电极和下电极之间的漏电流。为解决上述技术问题,本发明提供了一种电容结构、半导体器件以及电容结...
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