技术编号:26310970
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种mos型功率半导体器件。背景技术垂直双扩散功率器件是栅控型多子导电器件,具有功耗低、开关速度快、驱动能力强、负温度系数等优点,被广泛用于各种功率电子系统的电源模块,起着功率变换或功率转换的作用,是功率集成电路及功率集成系统的核心元器件之一。现有技术对于功率mos器件的功耗及其转换效率要求越来越高,功耗主要由导通损耗和开关损耗组成,现有技术仍存在功耗较高的缺陷。发明内容本实用新型的目的是提供一种mos型功率半导体器件,该mos型功率半导体器件能承受更高...
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