技术编号：265382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及一种彩桂试管苗继代增殖培养方法，包括如下步骤以彩桂新萌发的嫩枝为外植体，将外植体消毒灭菌后，在无菌条件切成1～1.5cm的小段，接种到腋芽诱导培养基中，培养4～5周后产生腋芽；将腋芽切割成1～1.5cm的顶芽或茎段，接种到相同的培养基中进行继代增殖培养，经4～5周培养获得丛生芽；其中，培养过程是在每天光照14小时、光合有效光量子束密度为40～50μmol/m2·s以及温度为24～26℃的条件下进行，所述腋芽诱导培养基或继代增殖培养基为基本培养基+TDZ0.1-0.5mg/L+KT0.1-1.0mg...
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