技术编号:26588113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于集成电路技术领域,特别是涉及一种高性能单光子像素spad结构。背景技术.spad物理结构是一个反向的pn结,工作状态下,其在阴极n和阳极p两端加很高的反向偏压,让二极管工作在盖革模式。当光子在其耗尽区被吸收时,由于高的电场强度发生载流子倍增效应,使pn结反向电阻瞬间降低,产生很高的反向电流。而常用的spad结构中,反向偏压在v以上,这导致spad不容易兼容标准cmos电路,同时高的电压需要强的隔离手段,这导致单个像素尺寸巨大,不能提高探测的空间分辨率,严重限制了其在手机等微小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。