技术编号：26786842
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在iii-v衬底上沉积高粘附性薄膜的机台及其工艺技术领域.本发明涉及一种在iii-v衬底上沉积高粘附性薄膜的机台及其工艺，属于半导体制造领域。背景技术.iii-v材料，如inp、gaas等，在光通讯、g方面应用非常火热，但是在其衬底上沉积介质薄膜（氧化硅、氮化硅）等受到挑战，主要问题是pecvd制备的薄膜粘附性太差，最后在器件切割时无法通过蓝膜工序，就是说会导致粘在蓝色切割膜的氧化硅、氮化硅等会被撕下来。.目前使用pecvd方式，在-℃和<mtorr腔压下...
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