技术编号:26822376
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种高电子迁移率晶体管及制备方法。背景技术.第三代半导体材料氮化镓由于具有大禁带宽度(.ev)、高电子饱和速率(×cm/s),高的击穿电场(×~×v/cm),较高热导率,耐腐蚀和抗辐射性能,成为当前研究热点,具有广阔的应用前景。在高电子迁移率晶体管(hemt)器件应用中,发现当hemt源漏电压较高时,器件的输出电流大大减小;而且rf信号下器件的输出功率明显减小(rf power compression),同时,输出功率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。