技术编号：2682421
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体制造等的EUV(Extreme Ultraviolet极紫外)光刻用反射型掩模底版(以下，本说明书中称为“EUV掩模底版”)和用于制造该EUV掩模底版的EUV光刻用带反射层的基板以及对该EUV掩模底版进行了图案形成而得的EUV掩模。背景技术一直以来，半导体产业中，作为在硅基板等上形成由微细图案构成的集成电路时必需的微细图案的转印技术，采用使用可见光或紫外光的光刻法。但是，半导体器件的微细化不断地加速，但以往的光刻法已逐渐接近极限。光刻法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。