技术编号：26838115
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体器件及形成方法。背景技术.半导体集成电路的制作是极其复杂的过程，目的在于将特定电路所需的各种电子组件和线路，缩小制作在小面积的晶片上。其中，各个组件必须要有适当的内连导线连作电性连接，才能发挥所期望的功能。.由于集成电路的制作向超大规模集成电路发展，其内部的电路密度越来越大，随着芯片中所含元件数量不断增加，实际上就减少了表面连线的空间。这一问题解决方法是采用多层金属导线设计，利用多层绝缘层和导电层相互叠加的多层连接，其中就需要制作大量的通孔，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。