技术编号:26839288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种工艺制造方法、阈值电压的调节方法、设备和存储介质。背景技术.互补型金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,cmos)晶体管是是集成电路中最重要的元件之一。所述互补型金属氧化物半导体管包括pmos器件和nmos器件。.随着半导体结构的特征尺寸的不断缩小,最具挑战性的问题是如何解决半导体结构漏电流大的问题。其中,半导体结构的漏电流大的问题,主要是由传统栅介质层厚度不断减小所引起的。.当...
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