技术编号:26856263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种具有niox保护层的mis‑hemt器件技术领域.本实用新型涉及半导体领域algan/ganhemt器件,特别涉及一种具有niox保护层的mis‑hemt器件。背景技术.gan材料因具有高电子迁移率、低导通电阻、优异的散热能力以及高击穿等特性,广泛应用于高频功率放大器与高压功率开关等场合。然而由于势垒层algan上存在较多的表面态缺陷,使得电流崩塌现象普遍存在于gan mis‑hemt器件中,致使器件的性能退化,可靠性降低。目前大众比较认可的解释是表面态的累积形成了“虚栅效应”,使得器件...
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