技术编号：2686290
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种图像传感器和制造该图像传感器的方法，且具体涉及ー种通过使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术制造的图像传感器(在下文中称作CMOS图像传感器)和用于制造该图像传感器的方法。 背景技术CMOS图像传感器包括两个区域，其中ー个为具有光电ニ极管的像素区域，另ー个为具有用于处理像素信号的电路的逻辑电路区域。以下将描述该像素区域的衬底结构。在衬底上形成光电ニ极管，在光电ニ极管上形成多个绝缘层以便使其间的各层绝缘且使器件钝化。此外，用于吸收色彩的滤色器...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。