技术编号:26949654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体加工领域,特别涉及半导体深孔隔离方法。.本发明还涉及半导体器件领域,特别涉及具有深孔结构半导体器件。背景技术.接触式图像传感器(contact image sensor,cis)性能与光电二极管(photo diode)具有强相关性。参阅图a和图b所示,现有技术中,光电二极管是由光刻工艺(photo)及离子注入工艺(imp)形成,但这会受到光刻胶的深宽比以及离子注入(imp)深度和浓度的限制。如图b所示,在硅衬底(si sub)上分别形成了p型离子注入(p型...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。